Necesita el plugin de Flash para visualizar correctamente la página

Fotovoltaica

¿Qué es Tecnología Fotovoltaica?

Principio de funcionamiento

La tecnología fotovoltaica se basa en el efecto fotoeléctrico. Cuando ciertos materiales llamados semiconductores son expuestos a los rayos solares, los electrones de la banda de valencia pueden ser excitados a la banda de conducción. Para que se de este fenómeno, la energía de los fotones (rayos solares) debe ser igual o superior al salto energético (band gap) entre la banda de valencia y la de conducción del semiconductor.

Cuando este fenómeno ocurre, la estructura física de los semiconductores crea un campo eléctrico que establece una trayectoria de los electrones de manera que se genera una corriente eléctrica continua.

A partir de ahí comienza el funcionamiento eléctrico convencional: la corriente continua producida llega hasta los inversores que la transforman en corriente alterna.

Efecto fotoeléctrico

Esquema de funcionamiento del efecto fotoeléctrico

Los componentes principales de un sistema fotovoltaico son:

  • Óptica: Diferentes elementos de óptica como espejos, lentes Fresnel.hacen la labor de concentrar la radiación solar en un punto donde se coloca la célula fotovoltaica.
  • Célula fotovoltaica: Es el elemento donde se lleva a cabo el efecto fotoeléctrico produciendo corriente continua.
  • Inversor: Convierte la corriente continua procedente de la célula en corriente alterna.
  • Seguidor: Con el fin de aumentar el rendimiento de nuestro sistema, el seguidor tiene la función de orientar nuestro módulo fotovoltaico en dirección al sol.

Tipos de células fotovoltaicas

Existen diferentes tecnologías en el mercado, cada una de ellas tiene diferentes características.

Silicio cristalizado (~200 µm)

que logran una eficiencia media a un coste medio.

Una doble capa antirreflectante y una superficie frontal con pirámides invertidas minimizan las perdidas ópticas. La oblea de silicio tiene un espesor de 400 μm, ofreciendo una larga trayectoria óptica y por lo tanto aumentando la absorción de fotones con una energía mayor que el band gap del Si.

Una capa dieléctrica de SiO 2 se inserta entre la oblea de Silicio y un conductor de Aluminio con el fin de obtener una superficie altamente reflectante en la parte trasera de la célula.

En el caso de células industriales de Silicio, se utilizan recubrimientos antirreflectantes de doble-capa. Además las obleas de Silicio monocristalino se sustituyen por obleas multicristalinas

  • Silicio Monocristalino
    La mayoría de las células actualmente en el mercado son monocristalinas. El proceso de fabricación es el siguiente:
    El Silicio se purifica, se funde y se cristaliza en lingotes.
    Los lingotes son cortados en finas obleas para hacer células individuales.
    Las células monocristalinas tienen un color uniforme, generalmente azul o negro.
  • Silicio Policristalino
    Las células policristalinas se fabrican de forma similar a las monocristalinas. La principal diferencia es que se utiliza un Silicio de bajo coste. Generalmente redunda en una reducción en la eficiencia, pero los fabricantes defienden que el precio por kW es menor.
    La superficie de las células policristalinas tiene un patrón aleatorio de cristalización en lugar del color homogéneo de las células monocristalinas.
  • Silicio "Ribbon"
    Las células fotovoltaicas tipo "Ribbon" se realizan mediante el estiramiento de silicio fundido en lugar de la utilización de un lingote. El principio de funcionamiento es el mismo que en el caso de las células monocristalinas y policristalinas.
    El recubrimiento anti-reflectivo utilizado en la mayoría de las células "ribbon" tiene una apariencia prismática multicolor.
Silicio "Ribbon"
thin-film (~5 µm):

que se encuentra por detrás de la tecnología convencional en términos de eficiencia pero es la más barata y ligera por lo que es óptima para su colocación en tejados.

Silicio amorfo
  • Silicio amorfo .
    En comparación con el "band gap" del Silicio cristalino de 1,1 eV, el Silicio amorfo ofrece un "band gap" variable de 1,1-1,75 eV, controlado por la composición de la aleación de Silicio. Adicionalmente, el Silicio amorfo ofrece un coeficiente de absortividad mayor que el cristalino en el espectro visible. De esta forma, el espesor de Silicio amorfo puede ser menor de 1 μm.
    Generalmente la célula amorfa consiste en una unión p-i-n (o n-i-p):una capa transparente de TCO (Óxido conductor transparente) en la parte frontal y una capa metálica como contacto y reflector trasero.
    Ventajas: Las células de Silicio amorfo pueden fabricarse a una temperatura de deposición relativamente baja, generalmente entre 200-500 ºC, lo que permite el uso de varios sustratos de bajo coste
    Desventajas: El silicio amorfo sufre una degradación debido a la luz al inicio de su operación.
Silicio amorfo
Imagen
  • Celulas solares de Cobre Indio Galio y Diselenuro (CIS CuInSe 2) (CIGS Cu(InGa)Se 2)
    Es uno de los thin-film con mayor potencial debido a su alta eficiencia y bajo coste.
    Las células CIGS ofrecen un “band gap” variable mediante la composición de In-Ga para maximizar la absorción del espectro solar. El band gap varía desde 1,02 eV a 1,68 eV. Las células CIGS ofrecen el mayor coeficiente de absorción dentro de la tecnología thin-film, lo que permite que alrededor del 99% de los fotones sean absorbidos por los primeros micrómetros del material.
    Una célula de Silicio convencional está formado por una capa de contacto de Molibdeno, mientras que el CIGS, por una fina de CdS o ZnS y una bicapa de aluminio y óxido de Zinc como TCO.
    Ventajas: Reducción de costes en materiales.
    Desventajas: Método de fabricación complicado y con necesidad de inversión importante. Otro problema que se plantea con esta tecnología es la disponibilidad de materiales y la toxicidad de la capa CdS
Célula CIGS
Teluro de Cadmio
  • Teluro de Cadmio
    Otra de las tecnologías thin-film que está siendo investigada últimamente es el Teluro de Cadmio.
    Una célula típica de Teluro de Cadmio está formada por una capa (tipo p) de Teluro de Cadmio, unida a una fina capa tipo n de CdS y finalmente formada por una capa de TCO (generalmente SnO2), la cual está concectada con el contacto eléctrico
    Ventajas: Existen multitud de técnicas para la fabricación de esta tecnología de thin-film, la mayoría de los cuales tiene un gran potencial para producciones a gran escala.
    Desventajas: El coste de los materiales
Teluro de Cadmio
  • Micro Silicio
    Esta tecnología espera mejorar los rendimientos y costes del Silicio amorfo. Se espera que pronto sea un competidor del resto de materiales thin-film. La alta eficiencia del micro Silicio y su baja degradación debido a la luz, hacen que las empresas industriales estén dedicando recursos a la investigación en esta tecnología.
  • Dióxido de Titanio
    Capas impregnadas de dióxido de Titanio se utilizan para generar voltaje en lugar del material semiconductor que se utiliza en la mayoría de las células fotovoltaicas. Debido a que el Titanio resulta relativamente barato, ofrecen un gran potencial de reducción de costes.
Concentración fotovoltaica

que ofrece una mejor eficiencia pero su mayor desventaja es el coste.

Fresnel point focus
  • Fresnel point focus (High concentration-GaAs) (GC~500)
    Las lentes Fresnel concentran la radiación en un punto. A partir de una concentración geométrica en torno a 500, el coste de la superficie fotovoltaica puede ser reducirse considerablemente.
    Por un lado, la tecnología ofrece gran potencial de reducción de costes debido al bajo consumo de material, por otro lado, es posible el uso de células de alta calidad de Arseniuro de Galio.
    Arseniuro de Galio (GaAs) Multi-unión: Las células multi-unión son una nueva tecnología que ofrece eficiencias altas en comparación con las células solares tradicionales
    Las células multi-unión sacan mejor partido del espectro solar mediante el uso de capas de diferentes semiconductores con diferentes "band gaps". Cada capa está formada por un material diferente, generalmente un semiconductor III-V, el cual absorbe diferentes porciones del espectro. Los semiconductores son elegidos con el fin de que el conjunto absorba la mayor parte del espectro solar. En la capa superior se colocan los semiconductores con un "band gap" mayor, de forma que los fotones más energéticos son absorbidos en esta capa.
  • Fresnel line focus (medium concentration-Si) (GC<500)
    Lentes cilíndricas que concentran la radiación solar en una línea. En este caso la concentración geométrica es menor que en el caso de “point focus”.En este caso se utiliza Silicio de alta eficiencia.
Seguidores de doble concentración

Seguidores de doble concentración

  • Baja concentración (2-4 times)
    En este caso se utilizan espejos para concentrar la radiación solar y como célula se utiliza Silicio convencional.
Links